援引韓媒Naver報(bào)道，三星已經(jīng)與美國(guó)Silicon Frontline Technology公司合作，在生產(chǎn)工藝上提高其半導(dǎo)體芯片的良率，以便在3 nm工藝上趕上TSMC。

報(bào)道稱，三星電子先進(jìn)工藝的良品率很低從5 nm工藝開(kāi)始，就存在成品率的問(wèn)題，在4 nm和3 nm工藝中情況變得更糟據(jù)說(shuō)三星3 nm溶液工藝量產(chǎn)以來(lái)，良品率沒(méi)有超過(guò)20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸

目前，三星在4nm和5nm工藝的節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了與輸出相關(guān)的問(wèn)題，公司不希望這個(gè)問(wèn)題在3nm工藝上再次出現(xiàn)因此，我們希望與硅前線技術(shù)公司合作，幫助三星晶圓廠提升前端技術(shù)和芯片性能

本站了解到，這家美國(guó)公司提供芯片識(shí)別評(píng)估和防ESD技術(shù)ESD是造成半導(dǎo)體芯片缺陷的主要原因之一，它是由制造過(guò)程中設(shè)備與金屬之間的摩擦引起的根據(jù)消息顯示，三星在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中與Silicon Frontline進(jìn)行了長(zhǎng)期合作，并取得了令人滿意的結(jié)果該公司現(xiàn)在將在芯片驗(yàn)證過(guò)程中使用其技術(shù)

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