據(jù)浙江大學(xué)杭州國際科技創(chuàng)新中心發(fā)布，最近幾天，在浙江大學(xué)指針計(jì)劃等研發(fā)項(xiàng)目支持下， 浙江大學(xué)杭州國際科技創(chuàng)新中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院——干晶體半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室和浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功生長出厚度為50 mm的6英寸碳化硅單晶，這一重要進(jìn)展意味著碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能迎來新的發(fā)展機(jī)遇。

據(jù)介紹，碳化硅單晶作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，對于發(fā)展高壓，高頻，高溫，大功率半導(dǎo)體器件非常重要目前，我國碳化硅單晶的直徑普遍達(dá)到了6英寸，但其厚度通常在~20—30 mm之間，這就導(dǎo)致一個碳化硅錠切片得到的碳化硅襯底數(shù)量相當(dāng)有限

研究人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰(zhàn)在于其在生長過程中厚度的增加以及源粉消耗導(dǎo)致的生長室內(nèi)熱場的變化為應(yīng)對挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)通過設(shè)計(jì)碳化硅單晶生長設(shè)備新熱場，開發(fā)碳化硅源粉新技術(shù)和碳化硅單晶生長新技術(shù)，顯著提高了碳化硅單晶的生長速度，成功生長出厚度為50 mm的6英寸碳化硅單晶，而且碳化硅單晶的晶體質(zhì)量達(dá)到行業(yè)水平

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