蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道，模擬/混合信號(hào)及專用芯片代工廠X-FAB Silicon Foundries SE在其180nm XH018半導(dǎo)體工藝中推出一種新的隔離等級(jí)。該新隔離等級(jí)旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管實(shí)現(xiàn)，可實(shí)現(xiàn)更緊密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，從而縮小芯片面積。

SPAD是眾多新興應(yīng)用的關(guān)鍵組件，包括自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)、3D成像、AR/VR系統(tǒng)中的深度感知、量子通信和生物醫(yī)學(xué)傳感。X-FAB已提供多款基于其180nm XH018平臺(tái)構(gòu)建的SPAD器件，有效面積范圍為10?m至20?m。其中包括一款針對(duì)近紅外優(yōu)化的二極管，可提高光子探測(cè)概率(PDP)性能。

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