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光威神策DDR58000內(nèi)存即將發(fā)布:特挑HynixA-Die、10層P

時間:2023-07-24 11:49  |  責(zé)任編輯:杜玉梅  |  來源: IT之家  |  關(guān)鍵詞:  |  閱讀量:14444  |  

,光威今日宣布,全新神策系列 DDR58000MHz 32GB 極速內(nèi)存即將推出。

IT之家附神策系列內(nèi)存介紹如下:

光威 神策 DDR5 8000MHz 內(nèi)存套裝采用海力士 A-Die 顆粒打造,在高達(dá) 8000MHz 頻率下運(yùn)行時序低至 CL38。

神策系列采用加厚的 10μm 金手指延長內(nèi)存的使用壽命,通過先進(jìn)的材料和設(shè)計,金手指的耐用性得到極大增強(qiáng),而不必?fù)?dān)心金手指的氧化和剮蹭。

本次發(fā)布的神策 DDR5 內(nèi)存在選用特挑 Hynix A-Die 超頻顆粒的基礎(chǔ)上,使用具備更強(qiáng)電氣性能的 10 層 PCB 板,具備極為強(qiáng)大的超頻可玩性。十層 PCB 板是一項(xiàng)成熟的超頻基本配置,它采用了先進(jìn)的層疊設(shè)計,將電路布線層層疊加,為玩家提供前所未有的性能提升。

此外,該系列內(nèi)存采用了全新散熱設(shè)計,在 2.0mm 厚度的散熱片內(nèi)部,加入銅均熱板。銅片緊貼導(dǎo)熱硅脂,導(dǎo)熱性能強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,可在內(nèi)存高頻運(yùn)行、手動超頻時提供更為強(qiáng)悍的散熱支撐。同時產(chǎn)品的雙面都采用了顯卡級的高性能硅脂散熱墊,緊貼散熱片、PCB 和顆粒即使深陷熱量戰(zhàn)場也能強(qiáng)效導(dǎo)熱。

除最高的 8000MHz 16GB×2 套裝外,光威神策 DDR5 內(nèi)存還提供 6400MHz、6800MHz、7200MHz、7600MHz、8000MHz 等多種規(guī)格可供玩家選購,將在不久陸續(xù)上線。

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