據(jù)報道，德州儀器正加速將氮化鎵生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡，以提高產(chǎn)能、獲得成本優(yōu)勢。

德州儀器韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，公司目前采用6英寸工藝生產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體，美國達(dá)拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，日本的會津工廠則正在將硅基8英寸生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為GaN產(chǎn)線。

目前GaN 應(yīng)用主要以外延為主，硅基襯底成本低，GaN-on-Si生長速度較快，較容易擴(kuò)展到8英寸晶圓。隨著尺寸增大，單位GaN半導(dǎo)體器件的成為將隨之降低，因而國內(nèi)、外廠商均在積極推進(jìn)建設(shè)8英寸GaN晶圓項目。

相比第二代半導(dǎo)體化合物，GaN擁有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，可用于高功率、高速的光電元件中，是生產(chǎn)微電子器件、光電子器件的新型材料。

不僅如此，其是能同時實(shí)現(xiàn)高頻、高效、大功率代表性材料，廣泛應(yīng)用在 5G 基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。

????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

以新能源汽車領(lǐng)域為例，GaN功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用于動力總成系統(tǒng)，包括車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS電池管理系統(tǒng)。引入GaN D類放大器的音頻系統(tǒng)能在不需要犧牲聲音質(zhì)量的前提下，以更小更輕的設(shè)計提供更多的功率和更多的通道，滿足消費(fèi)者市場對出色音質(zhì)的追求。

使用GaN晶體管還可實(shí)現(xiàn)更小、更高效和更低成本的電源系統(tǒng)。對汽車行業(yè)而言，應(yīng)用GaN意味著可以使用更小、更輕的電池，擁有更優(yōu)的充電性能以及更久的車輛續(xù)航時間。此外，GaN也提高了車輛自主和無線電源應(yīng)用的能力。

免責(zé)聲明：此文內(nèi)容為本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載企業(yè)宣傳資訊，僅代表作者個人觀點(diǎn)，與本網(wǎng)無關(guān)。僅供讀者參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。