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DDR5內(nèi)存內(nèi)置電源管理電路可以加壓超頻

時(shí)間:2021-10-02 21:32  |  責(zé)任編輯:如思  |  來源: IT之家  |  關(guān)鍵詞:  |  閱讀量:16100  |  

今天,一些爆料者HW _ release在推特上發(fā)布了幾個(gè)CPU—Z的截圖,展示了未發(fā)布的英特爾i9—12900K旗艦處理器值得注意的是,這位爆料者使用千兆字節(jié)Z690 AORUS主板,配合千兆字節(jié)的16GB雙通道DDR5內(nèi)存,成功將內(nèi)存超頻至8000 MT/s

從截圖可以看出,英特爾酷睿i9—12900K處理器有8核,8核,24線程最新版本的CPU—Z 1.97.0可以成功識(shí)別這款處理器

內(nèi)存方面,該平臺(tái)上的DDR5內(nèi)存支持英特爾XMP 3.0一鍵超頻技術(shù),提供:的多個(gè)默認(rèn)檔位。

頻率序列電壓為4800 MHz 42—39—39—77—1161.100v 6200 MHz 40—40—40—80—1211.350v 6200 MHz 38—38—76—1251.500v 6400 MHz 42—42—42—88由于DDR5內(nèi)存內(nèi)置電源管理電路,可以加壓超頻這個(gè)消息揭示了DDR5內(nèi)存強(qiáng)大的超頻潛力目前已有多家內(nèi)存廠商宣布推出DDR5內(nèi)存,只有第12代英特爾酷睿Alder Lake平臺(tái)將于10月底正式發(fā)布

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