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東芝推出采用TOLL封裝的650V第三代SiCMOSFET

時間:2025-08-30 10:23  |  責任編輯:谷小金  |  來源: 蓋世汽車  |  關(guān)鍵詞:  |  閱讀量:16353  |  

蓋世汽車訊 據(jù)外媒報道,東芝電子元件及存儲裝置株式會社推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET,搭載其最新的第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝。這些新器件適用于工業(yè)設(shè)備,例如開關(guān)電源和光伏發(fā)電機的功率調(diào)節(jié)器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”即日起批量出貨。

這些新產(chǎn)品是東芝第三代SiC MOSFET,采用通用表面貼裝TOLL封裝,與TO-247和TO-247-4L等通孔封裝相比,該封裝可將器件體積縮小80%以上,并提高設(shè)備的功率密度。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗,有助于降低開關(guān)損耗。作為四端子封裝,開爾文連接可用作柵極驅(qū)動的信號源端子。這降低了封裝內(nèi)源極線電感的影響,實現(xiàn)了高速開關(guān)性能;以TW048U65C為例,其導通損耗和關(guān)斷損耗分別比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品低約55%和25%,這將有助于降低設(shè)備的功率損耗。

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