半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia近日宣布，計(jì)劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。同時(shí)，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會增加。

據(jù)悉，為了滿足對高效功率半導(dǎo)體日益增長的長期需求，安世半導(dǎo)體將從2024年6月開始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。

其中第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線已于2024年6月投入使用。下一個(gè)里程碑將是建立200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產(chǎn)線。這些生產(chǎn)線將在未來兩年內(nèi)在漢堡工廠完成。同時(shí)，該項(xiàng)投資還將幫助進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動化，并通過逐步轉(zhuǎn)向使用200毫米晶圓來擴(kuò)大硅的產(chǎn)能。

安世半導(dǎo)體指出，這一舉措充分展現(xiàn)了其對電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的有力支持，“SiC和GaN半導(dǎo)體使數(shù)據(jù)中心等高功率應(yīng)用能夠以出色的效率運(yùn)行，同時(shí)也是可再生能源應(yīng)用和電動汽車的核心構(gòu)件。這些寬禁帶技術(shù)具有巨大的潛力，對實(shí)現(xiàn)脫碳目標(biāo)越來越重要?！?/p>

值得注意的是，此項(xiàng)投資是安世半導(dǎo)體在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個(gè)重要里程碑。據(jù)悉，自1924年Valvo Radior?hrenfabrik成立以來，該工廠不斷發(fā)展，如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。

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