韓國半導體生產(chǎn)企業(yè)SK海力士于當?shù)貢r間8日在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉行的世界閃存峰會“FMS 2023”上公布了321層4D閃存開發(fā)的進展，并展示了現(xiàn)階段開發(fā)的樣品。

NAND閃存根據(jù)在1個單元中儲存多少個信息來區(qū)分規(guī)格。SLC為1個，MLC為2個，TLC為3個，QLC為4個，PLC為5個等。隨著信息存儲量的增加，在同一晶圓面積上可儲存更多的數(shù)據(jù)。

SK海力士在存儲器業(yè)界首次公開300層以上NAND的具體開發(fā)過程，并表示將在2025年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)目標。321層1Tb TLC NAND與上一代238層512Gb NAND相比，生產(chǎn)效率提高了59%。由于數(shù)據(jù)存儲的單元能以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實現(xiàn)更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

SK海力士在峰會上還推出了針對高性能存儲需求而進行優(yōu)化的下一代NAND產(chǎn)品解決方案:采用PCIe 5接口的企業(yè)級固態(tài)硬盤及UFS 4.0。該企業(yè)同時還表示，正在積極開發(fā)下一代PCI 6.0和UFS 5.0產(chǎn)品，以適應未來更高的存儲和運算需求。

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