，據(jù)日刊工業(yè)新聞報道，日本精密零組件制造商 Orbray 宣布，已與豐田旗下車載半導體研發(fā)企業(yè) Mirise Technologies 簽訂協(xié)議，共同研發(fā)鉆石功率半導體。

報道稱，Mirise 和 Orbray 將結(jié)合二者的鉆石晶圓基板與功率元件技術(shù)，共同研發(fā)直立式鉆石功率元件，以滿足電動車需求。其中，Orbray 將負責開發(fā) P 型導電性鉆石晶圓基板，Mirise Technologies 則開發(fā)功率元件之中的持續(xù)耐電壓結(jié)構(gòu)。

報道指出，雙方簽訂了為期 3 年的合作協(xié)議。預(yù)計鉆石功率半導體將在 10 年后可實現(xiàn)實用化。Orbray 將投資 100 億日元新建生產(chǎn)車載功率半導體用鉆石晶圓基板等產(chǎn)品的工廠，ECU 等電動車零組件也將在該廠進行量產(chǎn)。

IT之家查閱資料獲悉，與傳統(tǒng)的硅、SiC、 GaN 等第三代半導體材料相比，鉆石具備更好的耐受高電壓特性，更高的熱傳導率即散熱性能。因此，專家認為鉆石是最佳的第四代半導體材料。

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